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数据更新时间
2026-05-12
当前展示该机构前 41 条能力;该机构共 41 条能力记录。
按标准归类为 4 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。
IEC 60747-8:2010+AMD1:2021
半导体器件-分立器件-第8部分 场效应晶体管
检测项目:开通关断时间(Tdon, Tr,Tdoff,Tf)、开通损耗(Eon)、关断损耗(Eoff)、MOS二极管正向恢复时间,电荷(Tfr,Qfr )、漏极到源极反向击穿电压(V(BR)DS)、栅源极阈值电压(VGS(th))、漏极漏电流(IDSS)、栅极漏电流(IGSS) 等 15 项,点击展开全部
检测对象:场效应晶体管
AQG 324-2025
用于机动车辆电力电子转换器单元的功率模块的认证
检测项目:QE-01 热冲击试验(TST)、QC-02 测定热阻(Rth值)、QC-03 确定短路能力、QC-04 绝缘测试、QL-01 功率循环(PCsec)、QL-02 功率循环(PCmin)、QL-03 高温储存(HTS)、QL-04 低温储存(LTS) 等 12 项,点击展开全部
检测对象:功率模块
IEC 60747-9:2019
半导体器件-分立器件-第9部分 绝缘栅双极晶体管(IGBTs)
检测项目:开通时间和开通损耗(Tdon,Tr,Ton,Eon)、关断时间和关断损耗(Tdoff,Tf,Toff,Tz,Eoff)、IGBT二极管反向恢复电流,时间,损耗和电荷(Irrm,Trr,Err,Qrr )、集电极-发射极饱和电压 (VCEsat)、栅极-发射极阈值电压 (VGE(th))、集电极截止电流(ICES)、栅极漏电流(IGES)、输入电容(Cies) 等 12 项,点击展开全部
检测对象:绝缘栅双极晶体管
GJB 548C-2021
微电子器件试验方法和程序 方法
检测项目:外部目检、扫描电子显微镜(SEM)检查
检测对象:微电子器件