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无锡芯动半导体科技有限公司检测中心

当前查看:无锡芯动半导体科技有限公司检测中心

江苏省 · 无锡市

地址:无锡市锡山经济技术开发区联福路1255号

联系电话:0510-83411886

数据更新时间

2026-05-12

能力范围

当前展示该机构前 41 条能力;该机构共 41 条能力记录。

按标准归类为 4 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

IEC 60747-8:2010+AMD1:2021

半导体器件-分立器件-第8部分 场效应晶体管

15 项检测项目

检测项目:开通关断时间(Tdon, Tr,Tdoff,Tf)、开通损耗(Eon)、关断损耗(Eoff)、MOS二极管正向恢复时间,电荷(Tfr,Qfr )、漏极到源极反向击穿电压(V(BR)DS)、栅源极阈值电压(VGS(th))、漏极漏电流(IDSS)、栅极漏电流(IGSS) 等 15 项,点击展开全部

检测对象:场效应晶体管

开通关断时间(Tdon, Tr,Tdoff,Tf)开通损耗(Eon)关断损耗(Eoff)MOS二极管正向恢复时间,电荷(Tfr,Qfr )漏极到源极反向击穿电压(V(BR)DS)栅源极阈值电压(VGS(th))漏极漏电流(IDSS)栅极漏电流(IGSS)漏源极导通电阻(rDS(on))栅极电荷(QG)共源短路输入电容(Ciss)共源短路输出电容(Coss)共源短路反向传递电容(Crss)内部栅极电阻(rg)漏源反向电压(VSD)

AQG 324-2025

用于机动车辆电力电子转换器单元的功率模块的认证

12 项检测项目

检测项目:QE-01 热冲击试验(TST)、QC-02 测定热阻(Rth值)、QC-03 确定短路能力、QC-04 绝缘测试、QL-01 功率循环(PCsec)、QL-02 功率循环(PCmin)、QL-03 高温储存(HTS)、QL-04 低温储存(LTS) 等 12 项,点击展开全部

检测对象:功率模块

QE-01 热冲击试验(TST)QC-02 测定热阻(Rth值)QC-03 确定短路能力QC-04 绝缘测试QL-01 功率循环(PCsec)QL-02 功率循环(PCmin)QL-03 高温储存(HTS)QL-04 低温储存(LTS)QL-05 高温反向偏压(HTRB)QL-06 高温栅极偏压(HTGB)QL-07 高温高湿反向偏压(H3TRB)QC-01 确定寄生杂散电感(Lp)

IEC 60747-9:2019

半导体器件-分立器件-第9部分 绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

12 项检测项目

检测项目:开通时间和开通损耗(Tdon,Tr,Ton,Eon)、关断时间和关断损耗(Tdoff,Tf,Toff,Tz,Eoff)、IGBT二极管反向恢复电流,时间,损耗和电荷(Irrm,Trr,Err,Qrr )、集电极-发射极饱和电压 (VCEsat)、栅极-发射极阈值电压 (VGE(th))、集电极截止电流(ICES)、栅极漏电流(IGES)、输入电容(Cies) 等 12 项,点击展开全部

检测对象:绝缘栅双极晶体管

开通时间和开通损耗(Tdon,Tr,Ton,Eon)关断时间和关断损耗(Tdoff,Tf,Toff,Tz,Eoff)IGBT二极管反向恢复电流,时间,损耗和电荷(Irrm,Trr,Err,Qrr )集电极-发射极饱和电压 (VCEsat)栅极-发射极阈值电压 (VGE(th))集电极截止电流(ICES)栅极漏电流(IGES)输入电容(Cies)输出电容(Coes)反向传递电容(Cres)栅极电荷(QG)内部栅极电阻(rg)

GJB 548C-2021

微电子器件试验方法和程序 方法

2 项检测项目

检测项目:外部目检、扫描电子显微镜(SEM)检查

检测对象:微电子器件

外部目检扫描电子显微镜(SEM)检查

机构信息

机构名称

无锡芯动半导体科技有限公司检测中心

所在地区

江苏省 · 无锡市

企业地址

无锡市锡山经济技术开发区联福路1255号

法定代表人

耿伟峰

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