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2026-05-12
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AEC-Q101-Rev-E-2021
基于失效机理的汽车用半导体分立器件的应力测试鉴定 表2 测试项A
检测项目：高温高湿反偏、有偏高加速应力试验、无偏高加速应力试验、温度循环、水汽浸渍、高压蒸煮、高温反偏、高温栅偏 等 14 项，点击展开全部
检测对象：电子元器件
GJB 128B-2021
半导体分立器件试验方法
检测项目：温度循环、高温储存、稳态功率老练、恒定加速度、粒子碰撞噪声检测试验、密封、外观及机械检验、高温反偏 等 10 项，点击展开全部
检测对象：电子元器件
检测对象：晶体管
检测对象：场效应管
GJB 128A-1997
半导体分立器件试验方法
检测项目：温度循环、高温储存、稳态功率老练、恒定加速度、粒子碰撞噪声检测试验、密封、外观及机械检验、集电极-发射极击穿电压 等 10 项，点击展开全部
检测对象：电子元器件
检测对象：晶体管
检测对象：场效应管
GB/T 4587-2023
半导体分立器件第7部分：双极型晶体管
检测项目：发射极-基极击穿电压、集电极-基极击穿电压、发射极-基极截止电流、集电极-基极截止电流、集电极-发射极截止电流、共发射极正向电流传输比、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压
检测对象：晶体管
GB/T 4587-1994
半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 Ⅳ，1节，
检测项目：发射极-基极击穿电压、集电极-基极击穿电压、发射极-基极截止电流、集电极-基极截止电流、集电极-发射极截止电流、共发射极正向电流传输比、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压
检测对象：晶体管
GJB 548C-2021
微电子器件试验方法和程序
检测项目：温度循环、高温储存、稳态功率老练、恒定加速度、粒子碰撞噪声检测试验、密封、外观及机械检验
检测对象：电子元器件
GB/T 4586-1994
半导体分立器件第8部分：场效应晶体管 IV
检测项目：栅源阈值电压、漏源导通电阻、零栅压漏极电流、正向栅源漏电流、反向栅源漏电流
检测对象：场效应管
GB/T 4377-2018
半导体集成电路 电压调整器测试方法
检测项目：基准电压、电压调整率、电流调整率、备用消耗电流、纹波抑制比
检测对象：单片集成电路
GB/T4377-1996
半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理
检测项目：基准电压、电压调整率、电流调整率、备用消耗电流、纹波抑制比
检测对象：单片集成电路
GB/T 6571-1995
半导体分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 IV 2,
检测项目：正向电压、反向漏电流、调整电压、微分电阻
检测对象：二极管
JESD22-A113I-2020
非密封性表面贴装器件可靠性试验前的预处理
检测项目：水汽浸渍、温度循环、高温储存
检测对象：电子元器件
MIL-STD-750-1B-2022
半导体器件环境试验方法 第1部分：试验方法1000至1999 方法
检测项目：高温反偏、间歇寿命
检测对象：电子元器件
JESD22-A101D.01-2021
稳态温湿度偏置寿命试验
检测项目：高温高湿反偏
检测对象：电子元器件
JESD22-A110E.01-2021
有偏高加速温湿度应力试验（HAST）
检测项目：有偏高加速应力试验
检测对象：电子元器件
JESD22-A118B.01-2021
加速耐湿无偏HAST
检测项目：无偏高加速应力试验
检测对象：电子元器件
JESD22-A104F.01-2023
温度循环
检测项目：温度循环
检测对象：电子元器件
JESD22-A102E-2015
加速耐湿无偏高压蒸煮试验
检测项目：高压蒸煮
检测对象：电子元器件
JESD22-A103E.01-2021
高温储存寿命试验
检测项目：高温储存
检测对象：电子元器件
JESD22-A108G-2022
温度、偏置和工作寿命
检测项目：高温栅偏
检测对象：电子元器件
JESD22-B100B-2003
物理尺寸
检测项目：物理尺寸
检测对象：电子元器件
MIL-STD-750-2B-2022
半导体器件环境试验方法 第2部分：试验方法2001至2999 方法
检测项目：引出端强度
检测对象：电子元器件
JESD22-A111C-2025
小型表面贴装固态器件全主体焊料浸渍底板贴装能力的评估程序
检测项目：耐焊接热
检测对象：电子元器件
JESD22-B106E-2016
通孔安装器件的耐焊接热冲击耐受性
检测项目：耐焊接热
检测对象：电子元器件
JEDEC J-STD-002E-2017
元件引脚、端子、焊盘、接线端子和导线的可焊性试验
检测项目：可焊性
检测对象：电子元器件
JESD22-B101D-2022
外部目检
检测项目：外部目检
检测对象：电子元器件
GB/T 4023-2015
半导体分立器件第2部分：整流二极管
检测项目：反向击穿电压
检测对象：二极管
GB/T 4023-1997
半导体分立器件第2部分：整流二极管 IV
检测项目：反向击穿电压
检测对象：二极管