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2026-05-12
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IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV
半导体器件—分立器件—第8部份：场效应晶体管
检测项目：栅源漏电、漏源极漏电、漏源击穿电压、导通电阻、体二极管反向压降、非重复单次雪崩能量、阈值电压
检测对象：分立型功率MOSFET器件
AEC - Q101 - Rev - E:2021
基于失效机理的车用半导体分立器件应力测试验证 B
检测项目：高温反偏压、高温栅偏压、高湿高温反偏、高加速应力
检测对象：分立型功率MOSFET器件
JESD22-A108G:2022
温度、偏压和工作寿命
检测项目：高温反偏压、高温栅偏压
检测对象：分立型功率MOSFET器件
EIA/JESD51-1:1995
集成电路热阻测试方法——电测方法（单个半导体器件）
检测项目：结-壳热阻
检测对象：分立型功率MOSFET器件
JESD51-14:2010
测量具有单路径热流的半导体器件结壳热阻的瞬态双界面试验方法
检测项目：结-壳热阻
检测对象：分立型功率MOSFET器件
JESD51-2A:2008
集成电路热阻测试方法环境条件——自然对流（静止空气）
检测项目：结-环境热阻
检测对象：分立型功率MOSFET器件
JESD22-A101D.01:2021
稳态温湿度偏置寿命试验
检测项目：高湿高温反偏
检测对象：分立型功率MOSFET器件
JESD22-A110E.01:2021
强加速稳态湿热寿命
检测项目：高加速应力
检测对象：分立型功率MOSFET器件