当前查看：成都先进功率半导体股份有限公司实验室
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2026-05-12
当前展示该机构前 41 条能力；该机构共 41 条能力记录。
按标准归类为 18 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
MIL-STD-750-3:2012
国防部测试方法标准 晶体管半导体器件电气测试方法 第3部分：测试方法 3000 至 3999 方法
检测项目：漏源间反向击穿电压、通态电压、通态电阻、阈值电压、漏极反向电流、栅极漏电流、直流增益、饱和电压和电阻 等 15 项，点击展开全部
检测对象：半导体电子元器件
MIL-STD-750-4:2012
国防部试验方法标准 半导体器件二极管电气试验方法 第4部分：试验方法4000至4999 方法
检测项目：正向压降、反向漏电流、反向击穿电压、浪涌电流和冲击钳位电压
检测对象：半导体电子元器件
MIL-STD-750-1:2015
国防部测试方法标准 半导体器件的环境测试方法 第1部分：测试方法 1000 至 1999 方法
检测项目：高温反偏、间歇工作寿命
检测对象：半导体电子元器件
JESD22-A101D.01:2021
稳态温度湿度偏置寿命试验 4.1~
检测项目：高温高湿反向偏置、温度湿度（无偏置）
检测对象：半导体电子元器件
JESD22-A113I:2020
非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理 5.4~
检测项目：预处理
检测对象：半导体电子元器件
AEC-Q101-001 Rev-A :2005
人体模型（HBM）静电放电（ESD）测试
检测项目：人体模型静电放电试验
检测对象：半导体电子元器件
AEC-Q101-005 Rev-A:2019
器件充电模型（CDM）静电放电（ESD）测试 2.3~
检测项目：器件充电模型静电放电试验
检测对象：半导体电子元器件
JESD51-14:2010
一维传热路径下半导体器件结壳热阻瞬态双界面测试法
检测项目：热阻
检测对象：半导体电子元器件
JESD51-2A:2008
集成电路热测试方法环境条件-自然对流（静止空气）
检测项目：热阻
检测对象：半导体电子元器件
JESD22-A119A:2021
低温存储寿命
检测项目：低温存储寿命
检测对象：半导体电子元器件
MIL-STD-750-3F:2012
国防部测试方法标准 晶体管半导体器件电气测试方法 第3部分：测试方法 3000 至 3999 MIL-STD-750-3:2012 方法
检测项目：集基极关态电流
检测对象：半导体电子元器件
MIL-STD-750-3-3:2012
国防部测试方法标准 晶体管半导体器件电气测试方法 第3部分：测试方法 3000 至 3999 MIL-STD-750-3:2012 方法
检测项目：射基极反向击穿电压
检测对象：半导体电子元器件
JESD22-A108G:2022
温度，偏置和工作寿命 4.2.1，4.2.2，4.2.3.4，
检测项目：高温栅偏
检测对象：半导体电子元器件
JESD22-A103E.01:2021
高温存储寿命
检测项目：高温存储寿命
检测对象：半导体电子元器件
JESD22-A104F.01:2023
温度循环 5.1~
检测项目：温度循环
检测对象：半导体电子元器件
JESD22-A118B.01:2021
加速抗湿-无偏置高加速应力试验 3，4.1~
检测项目：无偏置高加速应力试验
检测对象：半导体电子元器件
JESD22-A102E:2021
加速抗湿-无偏置高压蒸煮 3，4.1~
检测项目：高压蒸煮
检测对象：半导体电子元器件
JESD22-A110E.01:2021
高加速温度和湿度应力试验 3.1，3.2.e).1)，4.1~
检测项目：高加速应力试验
检测对象：半导体电子元器件