当前查看：成都森未科技有限公司先进功率半导体应用检测中心
四川省
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2026-05-12
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IEC 60747-9-2007
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
检测项目：集电极截止电流I<sub>CES</sub>、栅极-发射极阈值电压V<sub>GEth</sub>、集电极-发射极饱和电压V<sub>CEsat</sub>、集电极-发射极电压V<sub>CES</sub>、栅极漏电流I<sub>GES</sub>、高温阻断、高温栅极偏置
检测对象：绝缘栅双极晶体管
GB/T 29332-2012
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
检测项目：栅极-发射极阈值电压V<sub>GEth</sub>、集电极-发射极饱和电压V<sub>CEsat</sub>、集电极-发射极电压V<sub>CES</sub>、栅极漏电流I<sub>GES</sub>、高温阻断、高温栅极偏置、集电极截止电流I<sub>CES</sub>
检测对象：绝缘栅双极晶体管
QC/T 1136-2020
电动汽车用绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块环境试验要求及试验方法
检测项目：高温高湿阻断试验、功率循环试验
检测对象：绝缘栅双极晶体管
GB/T 2423.1-2008
电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验A：低温
检测项目：低温试验
检测对象：半导体器件
GB/T 2423.2-2008
电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验B：高温
检测项目：高温试验
检测对象：半导体器件