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中国科学院微小卫星创新研究院可靠性中心

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上海市 · 上海市

地址:上海市浦东新区雪洋路1号

联系电话:17278277686

数据更新时间

2026-05-12

能力范围

当前展示该机构前 100 条能力;该机构共 137 条能力记录。

按标准归类为 28 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法

9 项检测项目

检测项目:集电极-发射极击穿电压BVceo、漏-源击穿电压、高温试验、键合强度、剪切强度、粒子碰撞噪声检测试验、密封性、温度循环试验 等 9 项,点击展开全部

检测对象:双极型晶体管

集电极-发射极击穿电压BVceo

检测对象:场效应管

漏-源击穿电压

检测对象:电子及电气元件

高温试验键合强度剪切强度粒子碰撞噪声检测试验密封性温度循环试验半导体分立器件老炼

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法

8 项检测项目

检测项目:电容量、电阻值、绝缘电阻、粒子碰撞噪声检测试验、密封性、温度循环试验、稳态湿热试验、电子元件老炼

检测对象:固定电容器

电容量绝缘电阻

检测对象:固定电阻器

电阻值

检测对象:电子及电气元件

粒子碰撞噪声检测试验密封性温度循环试验稳态湿热试验电子元件老炼

GB/T 4587-2023

半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管

8 项检测项目

检测项目:集电极-基极截止电流Icbo、发射极-基极截止电流Iebo、集电极-发射极截止电流Iceo、集电极-发射极饱和电压Vces、基极-发射极饱和电压Vbes、共发射极正向电流传输比、集电极-基极电压BVcbo、发射极-基极电压BVebo

检测对象:双极型晶体管

集电极-基极截止电流Icbo发射极-基极截止电流Iebo集电极-发射极截止电流Iceo集电极-发射极饱和电压Vces基极-发射极饱和电压Vbes共发射极正向电流传输比集电极-基极电压BVcbo发射极-基极电压BVebo

GB/T 4586-1994

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第Ⅳ章 测试方法

8 项检测项目

检测项目:正向栅源漏电流、反向栅源漏电流、零栅压漏极电流、栅-源阈值电压、跨导、漏-源通态电流、漏-源通态电阻、漏-源通态电压

检测对象:场效应管

正向栅源漏电流反向栅源漏电流零栅压漏极电流栅-源阈值电压跨导漏-源通态电流漏-源通态电阻漏-源通态电压

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法

7 项检测项目

检测项目:集电极-发射极击穿电压BVceo、漏-源击穿电压、键合强度、剪切强度、粒子碰撞噪声检测试验、密封性、温度循环试验

检测对象:双极型晶体管

集电极-发射极击穿电压BVceo

检测对象:场效应管

漏-源击穿电压

检测对象:电子及电气元件

键合强度剪切强度粒子碰撞噪声检测试验密封性温度循环试验

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015

7 项检测项目

检测项目:正向电压(输入二极管)、反向电流(二极管)、反向击穿电压(二极管)、集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、输出截止电流、电流传输比

检测对象:光电耦合器

正向电压(输入二极管)反向电流(二极管)反向击穿电压(二极管)集电极-发射极击穿电压集电极-发射极饱和电压输出截止电流电流传输比

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法

6 项检测项目

检测项目:高温试验、键合强度、剪切强度、粒子碰撞噪声检测试验、密封性、温度循环试验

检测对象:电子及电气元件

高温试验键合强度剪切强度粒子碰撞噪声检测试验密封性温度循环试验

GB/T 6346.1-2024

电子设备用固定电容器 第1部分:总规范

5 项检测项目

检测项目:损耗角正切、等效串联电阻、漏电流、绝缘电阻、介质耐电压

检测对象:固定电容器

损耗角正切等效串联电阻漏电流绝缘电阻介质耐电压

GB/T 15291-2015

半导体器件 第6部分:晶闸管

5 项检测项目

检测项目:通态电压、维持电流、断态电流、门极触发电流、门极触发电压

检测对象:晶闸管

通态电压维持电流断态电流门极触发电流门极触发电压

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021方法

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021方法

5 项检测项目

检测项目:高温试验、键合强度、剪切强度、粒子碰撞噪声检测试验、温度循环试验

检测对象:电子及电气元件

高温试验键合强度剪切强度粒子碰撞噪声检测试验温度循环试验

有失效率等级的无包封多层片式瓷介固定电容器通用规范 GJB 192B-2011

有失效率等级的无包封多层片式瓷介固定电容器通用规范 GJB 192B-2011

3 项检测项目

检测项目:电容量、损耗角正切、绝缘电阻

检测对象:固定电容器

电容量损耗角正切绝缘电阻

热敏电阻器通用规范GJB601B-2018

热敏电阻器通用规范GJB601B-2018

3 项检测项目

检测项目:零功率电阻值、B值、电阻温度特性

检测对象:热敏电阻器

零功率电阻值B值电阻温度特性

GB/T 8554-1998

电子和通信设备用变压器和电感器测量方法及试验程序

3 项检测项目

检测项目:电感量、品质因数、直流电阻

检测对象:固定电感器

电感量品质因数直流电阻

射频固定和可变片式电感器通用规范 GJB 1864A-2011

射频固定和可变片式电感器通用规范 GJB 1864A-2011

3 项检测项目

检测项目:电感量、品质因数、直流电阻

检测对象:固定电感器

电感量品质因数直流电阻

电连接器试验方法 GJB 1217A-2009 方法

电连接器试验方法 GJB 1217A-2009 方法

3 项检测项目

检测项目:介质耐电压、绝缘电阻、接触电阻

检测对象:电连接器

介质耐电压绝缘电阻接触电阻

GB/T 6571-1995

半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅳ章 测试方法 第2节电压基准二极管和电压调整二极管

2 项检测项目

检测项目:稳压管工作电压、稳压管动态电阻

检测对象:二极管

稳压管工作电压稳压管动态电阻

GB/T 5729-2003

电子设备用固定电阻器 第1部分 总规范

1 项检测项目

检测项目:电阻值

检测对象:固定电阻器

电阻值

GB/T 4023-2015

半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管

1 项检测项目

检测项目:反向击穿电压

检测对象:二极管

反向击穿电压

GB/T 2423.2-2008

电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验B:高温

1 项检测项目

检测项目:高温试验

检测对象:电子及电气元件

高温试验

军用装备实验室环境试验方法 第3部分:高温试验 GJB 150.3A-

军用装备实验室环境试验方法 第3部分:高温试验 GJB 150.3A-

1 项检测项目

检测项目:高温试验

检测对象:电子及电气元件

高温试验

半导体分立器件试验方法GJB128B-2021 方法

半导体分立器件试验方法GJB128B-2021 方法

1 项检测项目

检测项目:高温试验

检测对象:电子及电气元件

高温试验

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法

1 项检测项目

检测项目:密封性

检测对象:电子及电气元件

密封性

片式固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB 2283A-2014 4.5.5电压老化

片式固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB 2283A-2014 4.5.5电压老化

1 项检测项目

检测项目:电子元件老炼

检测对象:电子及电气元件

电子元件老炼

高可靠瓷介固定电容器通用规范 GJB 4157-2011 方法

高可靠瓷介固定电容器通用规范 GJB 4157-2011 方法

1 项检测项目

检测项目:电子元件老炼

检测对象:电子及电气元件

电子元件老炼

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法1038 试验条件A

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法1038 试验条件A

1 项检测项目

检测项目:半导体分立器件老炼

检测对象:电子及电气元件

半导体分立器件老炼

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法1038 试验条件B

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法1038 试验条件B

1 项检测项目

检测项目:半导体分立器件老炼

检测对象:电子及电气元件

半导体分立器件老炼

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法1039 试验条件A

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法1039 试验条件A

1 项检测项目

检测项目:半导体分立器件老炼

检测对象:电子及电气元件

半导体分立器件老炼

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法1039 试验条件B

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法1039 试验条件B

1 项检测项目

检测项目:半导体分立器件老炼

检测对象:电子及电气元件

半导体分立器件老炼

机构信息

机构名称

中国科学院微小卫星创新研究院可靠性中心

所在地区

上海市 · 上海市

企业地址

上海市浦东新区雪洋路1号

法定代表人

胡海鹰

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