当前查看：中国振华集团永光电子有限公司国营第八七三厂检测试验中心
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2026-05-12
当前展示该机构前 63 条能力；该机构共 63 条能力记录。
按标准归类为 11 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
GJB548B-2005
微电子器件试验方法和程序 方法
检测项目：外部目检、内部目检、粒子碰撞噪声检测、密封试验、键合强度、剪切强度、功率老练、高温贮存 等 18 项，点击展开全部
检测对象：半导体分立器件及集成稳压器
GJB128A-97
半导体分立器件试验方法
检测项目：特性曲线、反向击穿电压、外部目检、内部目检、粒子碰撞噪声检测、密封试验、键合强度、剪切强度 等 14 项，点击展开全部
检测对象：二极管
检测对象：场效应晶体管
检测对象：半导体分立器件及集成稳压器
检测对象：晶体管
GJB128A-1997
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：高温反偏、高温贮存、稳态工作寿命、耐湿试验、盐气试验（浸蚀）、盐雾试验（腐蚀）、温度循环（空气-空气）
检测对象：半导体分立器件及集成稳压器
GB/T6571-1995
半 导 体 器 件 分 立 器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅳ章第2节
检测项目：反向电流、正向电压、微分电阻、反向击穿电压、温度系数、反向恢复时间
检测对象：二极管
GB/T4587-2023
半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
检测项目：反向击穿电压、集电极-基极截止电流、发射极-基极截止电流、集电极-发射极截止电流、饱和压降、正向电流传输比
检测对象：晶体管
GB/T4586-1994
半导体分立器件和集成电路第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章
检测项目：阈值电压、漏极截止电流、栅极泄漏电流、漏源通态电阻
检测对象：场效应晶体管
GB/T4023-2015
半 导 体 器 件 分 立 器件第2部分:整流二极管
检测项目：反向电流、正向电压、反向恢复时间
检测对象：二极管
QZJ840615
半导体模拟集成电路“七专”技术条件
检测项目：碰撞
检测对象：半导体分立器件及集成稳压器
SJ908-74
半导体二极管总技术条件 第6条第（2）款
检测项目：机械冲击
检测对象：半导体分立器件及集成稳压器
SJ614-73
半导体三极管总技术条件 第6条第（2）款
检测项目：机械冲击
检测对象：半导体分立器件及集成稳压器
GJB360B-2009
电子及电气元件试验方法 方法
检测项目：随机振动
检测对象：半导体分立器件及集成稳压器