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2026-05-12
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按标准归类为 20 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。
SJ 20646-1997
混合集成电路DC/DC变换器测试方法
检测项目:输出电压、输出电流、电压调整率、电流调整率、输入电流、效率、输出纹波电压、输入电压 等 16 项,点击展开全部
检测对象:DC/DC变换器
GB/T17574-1998
半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路 第Ⅳ篇/第3节/
检测项目:功能测试、传输时间、延迟和转换时间、棋盘格图形、对角线图形、全0(全1)图形、单1(单0)图形、输出高电平电压 等 10 项,点击展开全部
检测对象:半导体集成电路数字集成电路
检测对象:半导体集成电路存储器电路
GJB 1515A-2001
固体继电器总规范
检测项目:输入接通电压、输入接通电流、输入关断电压、输入关断电流、输出漏电流、反极性、输出电压降、输入电流 等 10 项,点击展开全部
检测对象:固体继电器
GB/T4587-2023
半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章:双极型晶体管
检测项目:集电极—基极截止电流、发射极—基极截止电流、集电极—发射极截止电流、集电极—发射极饱和电压、基极—发射极饱和电压、共发射极正向电流传输比、集电极—基极击穿电压、发射极—基极击穿电压 等 9 项,点击展开全部
检测对象:三极管
GB/T 29332-2012
半导体器件 分立器件 第9部分 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目:集电极-发射极电压VCES、集电极-发射极短路时的栅极—发射极电压VGES、栅极—发射极短路时的集电极截止电流ICES、集电极-发射极短路时的栅极漏电流IGES、集电极-发射极饱和电压VCESAT、栅极-发射极阈值电压VGETH、开通期间的各时间间隔(td(on)、tr、ton) 和开通能量Eon、关断期间的各时间间隔(td(off)、tf、toff,tz) 和关断能量Eoff 等 9 项,点击展开全部
检测对象:绝缘栅双极晶体管
GJB 1042A-2002
电磁继电器通用规范
检测项目:线圈电阻、线圈电流、静态接触电阻、规定的动作或自保持/复归、保持和释放电压、动作(吸合)和释放时间、绝缘电阻、耐电压
检测对象:电磁继电器
GB/T4586-1994
半导体器件 分立器件和集成电路第8部分_场效应晶体管 第Ⅳ章
检测项目:漏极截止电流IDSS、栅极截止电流IGSS、栅源阈值电压VGSTH、正向跨导gfs、漏源极通态电压VDSON、静态漏源通态电阻rDSon、栅源截止电压VGSoff
检测对象:场效应晶体管
GJB360B-2009
电子及电气元件试验方法 方法
检测项目:绝缘电阻、电阻、品质因数、电容量、介质耐电压
检测对象:DC/DC变换器
检测对象:固定电阻器
检测对象:电感器
检测对象:电容器
SJT11706-2018
半导体集成电路 现场可编程门阵列测试方法
检测项目:功能测试、输出高电平电压、输出低电平电压、输入高电平电流和输入低电平电流、上电电流
检测对象:现场可编程门阵列(FPGA)
GJB 918A-2011
非线绕预调电位器通用规范
检测项目:总阻值、终端电阻、连续性、绝缘电阻
检测对象:电位器
GB/T 4023-2015
半导体器件 分立器件和集成电路第2部分:整流二极管
检测项目:正向压降、反向击穿电压、恢复电荷和反向恢复时间、寄生二极管正向电压VF
检测对象:二极管
检测对象:绝缘栅双极晶体管
GJB675A-2002
有和无可靠性指标的模制射频固定电感器通用规范
检测项目:电感值、品质因数
检测对象:电感器
GJB128B-2021
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目:正向压降、反向漏电流
检测对象:二极管
GB/T 6571-1995
半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅳ章,第1节,
检测项目:正向压降、工作电压
检测对象:二极管
SJ/T 2215-2015
半导体光电耦合器测试方法
检测项目:低电平电源电流
检测对象:光电耦合器
QJ2289-1992
固体继电器总规范
检测项目:输出端通态电阻
检测对象:固体继电器
GB/T 5729-2003
电子设备用固定电阻器 第1部分:总规范
检测项目:电阻
检测对象:固定电阻器
GB/T 8554-1998
电子和通信设备用变压器和电感器测量方法和试验程序
检测项目:电感值
检测对象:电感器
GJB 63C-2015
固体电解质钽固定电容器通用规范
检测项目:漏电流
检测对象:电容器
GJB128A-1997
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目:漏源击穿电压V(BR)DSS
检测对象:场效应晶体管